MC100EP16VBDG

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MC100EP16VBDG概述

ON Semiconductor### 时钟发生器/缓冲器

时钟缓冲器,


得捷:
IC RCVR/DRVR ECL DIFF 5V 8SOIC


欧时:
ON Semiconductor MC100EP16VBDG 4通道 差分线路接收器, 3 → 5.5 V单电源电压, 8引脚 SOIC封装


艾睿:
Single Receiver 8-Pin SOIC N Rail


Chip1Stop:
Dual Receiver 8-Pin SOIC N Rail


力源芯城:
3.3/5V ECL接收/驱动器,带高低增益


MC100EP16VBDG中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.00 V, 5.50 V max

无卤素状态 Halogen Free

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MC100EP16VBDG引脚图与封装图
MC100EP16VBDG引脚图
MC100EP16VBDG封装图
MC100EP16VBDG封装焊盘图
在线购买MC100EP16VBDG
型号: MC100EP16VBDG
描述:ON Semiconductor ### 时钟发生器/缓冲器
替代型号MC100EP16VBDG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MC100EP16VBDG

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MC100EP16VBDR2G

安森美

完全替代

MC100EP16VBDG和MC100EP16VBDR2G的区别

MC100EP16VBD

安森美

类似代替

MC100EP16VBDG和MC100EP16VBD的区别

MC100EP16VBDR2

安森美

类似代替

MC100EP16VBDG和MC100EP16VBDR2的区别

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