MGSF1P02LT3

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MGSF1P02LT3中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.75A

上升时间 1 ns

输入电容Ciss 130pF @5VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买MGSF1P02LT3
型号: MGSF1P02LT3
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:功率MOSFET 750毫安, 20伏 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts
替代型号MGSF1P02LT3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

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