功率MOSFET 2安培， 20伏P沟道SO- 8 ，双 Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8, Dual
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 3.3A 2W 表面贴装型 8-SOIC
得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
Win Source:
MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -2.00 A
漏源极电阻 160 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.00 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.30 A
输入电容Ciss 588pF @16VVds
额定功率Max 2 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMDF2P02HDR2 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMDF2P02HDR2G 安森美 | 类似代替 | MMDF2P02HDR2和MMDF2P02HDR2G的区别 |
MMDF2P02HD 安森美 | 功能相似 | MMDF2P02HDR2和MMDF2P02HD的区别 |