MGSF3441VT1

低Rds小信号MOSFETTMOS单P沟道场效应晶体管低RDS提供了更高的的efficienccy，并延长电池寿命TSOPE6微型表面贴装封装，节省了电路板空间

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.078 @-3A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.45V 耗散功率PdPower Dissipation| 2W Description & Applications| low Rds small-signal MOSFETs TMOS single P-CHANNEL field effect transistors Low Rds provides higher efficienccy and extends battery life miniature TSOPE6 surface mount package saves board space 描述与应用| 低Rds小信号MOSFET TMOS单P沟道 场效应 低RDS提供了更高的的efficienccy，并延长电池寿命 TSOPE6微型表面贴装封装，节省了电路板空间