MMDF2N02ER2G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMDF2N02ER2G概述

2A,25V,SO-8,N沟道功率双MOSFET

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 25V 3.6A 2W Surface Mount 8-SOIC

得捷:
MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC

贸泽:
MOSFET NFET SO8D 25V 3.6A 100mOhm

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 3.6A 8-Pin SOIC N T/R

力源芯城:
2A,25V,SO-8,N沟道功率双MOSFET

Win Source:
MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC

MMDF2N02ER2G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 2.00 A

通道数 2

漏源极电阻 100 mΩ

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 3.60 A

输入电容Ciss 532pF @16VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMDF2N02ER2G

型号： MMDF2N02ER2G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：2A,25V,SO-8,N沟道功率双MOSFET

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替代型号MMDF2N02ER2G

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