MG12100S-BN2MM

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MG12100S-BN2MM概述

LITTELFUSE MG12100S-BN2MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 140A, 1.7V, 450W, 1.2kV, Module

IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200 V 140 A 450 W 底座安装 S3


得捷:
IGBT MODULE 1200V 140A 450W S3


贸泽:
IGBT Modules 1200V 100A Dual


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 140A 7-Pin Bulk


Newark:
# LITTELFUSE  MG12100S-BN2MM  IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 140 A, 1.7 V, 450 W, 1.2 kV, Module


MG12100S-BN2MM中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 450 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 7.1nF @25V

额定功率Max 450 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 450000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 S-3

外形尺寸

封装 S-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MG12100S-BN2MM
型号: MG12100S-BN2MM
描述:LITTELFUSE MG12100S-BN2MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 140A, 1.7V, 450W, 1.2kV, Module

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