MG06600WB-BN4MM

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MG06600WB-BN4MM概述

LITTELFUSE MG06600WB-BN4MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 700A, 1.45V, 1.5kW, 600V, Module

IGBT 模块 - 半桥 底座安装 模块


得捷:
IGBT MOD 600V 600A 1500W


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 700A 1500000mW 9-Pin Bulk


Newark:
# LITTELFUSE  MG06600WB-BN4MM  IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 700 A, 1.45 V, 1.5 kW, 600 V, Module


MG06600WB-BN4MM中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 1.5 kW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 39nF @25V

额定功率Max 1500 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1500000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 11

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MG06600WB-BN4MM
型号: MG06600WB-BN4MM
描述:LITTELFUSE MG06600WB-BN4MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 700A, 1.45V, 1.5kW, 600V, Module

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