MG12200D-BA1MM

MG12200D-BA1MM图片1
MG12200D-BA1MM图片2
MG12200D-BA1MM图片3
MG12200D-BA1MM图片4
MG12200D-BA1MM概述

IGBT 模块 1200V 200A Dual

IGBT 模块 - 半桥 底座安装 D3


得捷:
IGBT MODULE 1200V 300A 1400W D3


贸泽:
IGBT 模块 1200V 200A Dual


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 300A 7-Pin Package D Bulk


TME:
IGBT half-bridge; Urmax:1.2kV; Ic:210A; P:1.4kW; Ifsm:420A; screw


Newark:
# LITTELFUSE  MG12200D-BA1MM  IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 300 A, 1.8 V, 1.4 kW, 1.2 kV, Module


MG12200D-BA1MM中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.4 kW

极性 NPN

耗散功率 1.4 kW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 14.9nF @25V

额定功率Max 1400 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1400000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 7

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MG12200D-BA1MM
型号: MG12200D-BA1MM
描述:IGBT 模块 1200V 200A Dual

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台