MG12450WB-BN2MM

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MG12450WB-BN2MM概述

IGBT 模块 1200V 450A Dual

IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 底座安装 WB


得捷:
IGBT MODULE 1200V 600A 1950W WB


贸泽:
IGBT 模块 1200V 450A Dual


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 1950000mW 9-Pin Bulk


Newark:
# LITTELFUSE  MG12450WB-BN2MM  IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 600 A, 1.7 V, 1.95 kW, 1.2 kV, Module


MG12450WB-BN2MM中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 1.95 kW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 32nF @25V

额定功率Max 1950 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1950000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 11

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MG12450WB-BN2MM
型号: MG12450WB-BN2MM
描述:IGBT 模块 1200V 450A Dual

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