MG06300D-BN4MM

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MG06300D-BN4MM概述

IGBT 模块 600V 300A Dual

IGBT 模块 - 半桥 底座安装 D3


得捷:
IGBT MODULE 600V 300A 940W D3


贸泽:
IGBT 模块 600V 300A Dual


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 400A 940000mW 7-Pin Package D Bulk


Newark:
# LITTELFUSE  MG06300D-BN4MM  IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 400 A, 1.45 V, 940 W, 600 V, Module


MG06300D-BN4MM中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 940 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 19nF @25V

额定功率Max 940 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 940000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MG06300D-BN4MM
型号: MG06300D-BN4MM
描述:IGBT 模块 600V 300A Dual

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