MMUN2133LT1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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MMUN2133LT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 400 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMUN2133LT1

型号： MMUN2133LT1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

替代型号MMUN2133LT1

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MMUN2133LT1

ON Semiconductor 安森美

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安森美

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