MG12200D-BN2MM

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MG12200D-BN2MM概述

LITTELFUSE MG12200D-BN2MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 290A, 1.7V, 1.05kW, 1.2kV, Module

IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 底座安装 D3


得捷:
IGBT MODULE 1200V 290A 1050W D3


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 290A 7-Pin Package D Bulk


Newark:
# LITTELFUSE  MG12200D-BN2MM  IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 290 A, 1.7 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module


MG12200D-BN2MM中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 1.05 kW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 14nF @25V

额定功率Max 1050 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1050000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MG12200D-BN2MM
型号: MG12200D-BN2MM
描述:LITTELFUSE MG12200D-BN2MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 290A, 1.7V, 1.05kW, 1.2kV, Module

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