MG06150S-BN4MM

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MG06150S-BN4MM概述

IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 225A, 1.45V, 500W, 600V, Module

IGBT 模块 - 半桥 底座安装 S3


得捷:
IGBT MODULE 600V 150A 500W S3


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 225A 500000mW 7-Pin Bulk


Newark:
IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 225 A, 1.45 V, 500 W, 600 V, Module


MG06150S-BN4MM中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 500 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 9.3nF @25V

额定功率Max 500 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 500000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 S-3

外形尺寸

封装 S-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MG06150S-BN4MM
型号: MG06150S-BN4MM
描述:IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 225A, 1.45V, 500W, 600V, Module

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