互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 80V 10A 150W Chassis Mount TO-3
得捷:
TRANS NPN DARL 80V 10A TO3
贸泽:
达林顿晶体管 NPN Darlington Power LTB 9-2009
艾睿:
Trans Darlington NPN 80V 10A 150000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Bag
安富利:
Trans Darlington NPN 80V 10A 3-Pin2+Tab TO-3 Bag
额定电压DC 80.0 V
额定电流 10.0 A
耗散功率 150 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 3V
额定功率Max 150 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 150000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
长度 39.5 mm
宽度 26.2 mm
高度 8.7 mm
封装 TO-3
工作温度 200℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJ3001 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
J300 安森美 | 类似代替 | MJ3001和J300的区别 |