MG12150D-BA1MM

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MG12150D-BA1MM概述

LITTELFUSE MG12150D-BA1MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 210A, 1.8V, 1.1kW, 1.2kV, Module

IGBT 模块 - 半桥 底座安装 D3


得捷:
IGBT MODULE 1200V 210A 1100W D3


贸泽:
IGBT Modules 1200V 150A Dual


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 210A 7-Pin Package D Bulk


TME:
IGBT half-bridge; Urmax:1.2kV; Ic:150A; P:1.1kW; Ifsm:300A; screw


Newark:
# LITTELFUSE  MG12150D-BA1MM  IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 210 A, 1.8 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module


MG12150D-BA1MM中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.1 kW

极性 NPN

耗散功率 1.1 kW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 11nF @25V

额定功率Max 1100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1100000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 7

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MG12150D-BA1MM
型号: MG12150D-BA1MM
描述:LITTELFUSE MG12150D-BA1MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 210A, 1.8V, 1.1kW, 1.2kV, Module

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