MMBV2109LT1G

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MMBV2109LT1G概述

硅调谐二极管 Silicon Tuning Diodes

可变电抗器 单路 30 V 表面贴装型 SOT-23-3(TO-236)


得捷:
DIODE TUNING SS 30V SOT23


艾睿:
Diode VAR Cap Single 30V 29.7pF 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Diode VAR Cap Single 30V 29.7pF 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBV2109LT1G  Variable Capacitance Diode, Varicap, 36.3 pF, 200 mA, 30 V, 150 °C, SOT-23, 3 Pin


Win Source:
Silicon Tuning Diodes


MMBV2109LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

电容 33.0 pF

击穿电压 30.0 V

正向电流 200 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBV2109LT1G
型号: MMBV2109LT1G
描述:硅调谐二极管 Silicon Tuning Diodes
替代型号MMBV2109LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBV2109LT1G

ON Semiconductor 安森美

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MMBV2109LT1

安森美

完全替代

MMBV2109LT1G和MMBV2109LT1的区别

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