MMDF3N02HDR2G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

MMDF3N02HDR2G图片1

MMDF3N02HDR2G图片2

MMDF3N02HDR2G图片3

MMDF3N02HDR2G图片4

MMDF3N02HDR2G图片5

MMDF3N02HDR2G图片6

MMDF3N02HDR2G图片7

MMDF3N02HDR2G图片8

MMDF3N02HDR2G图片9

MMDF3N02HDR2G图片10

MMDF3N02HDR2G概述

3A,20V,SO-8,N沟道功率双MOSFET

N-Channel 20V 3.8A Ta 2W Ta Surface Mount 8-SOIC

得捷:
MOSFET N-CH 20V 3.8A 8SOIC

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC N T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC N T/R

力源芯城:
3A,20V,SO-8,N沟道功率双MOSFET

Win Source:
MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC

MMDF3N02HDR2G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -3.80 A

漏源极电阻 90.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2W Ta

输入电容 630 pF

栅电荷 18.0 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

输入电容Ciss 630pF @16VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMDF3N02HDR2G

型号： MMDF3N02HDR2G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：3A,20V,SO-8,N沟道功率双MOSFET

替代型号MMDF3N02HDR2G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MMDF3N02HDR2G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
NTMD4N03R2G 安森美	类似代替	MMDF3N02HDR2G和NTMD4N03R2G的区别
NTMD6N02R2G 安森美	类似代替	MMDF3N02HDR2G和NTMD6N02R2G的区别
FDS4935A 安森美	类似代替	MMDF3N02HDR2G和FDS4935A的区别