MMFT5P03HDT3参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMFT5P03HDT3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 5.2A

输入电容Ciss 475pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3130 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买MMFT5P03HDT3

型号： MMFT5P03HDT3

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：功率MOSFET 5安培， 30伏 Power MOSFET 5 Amps, 30 Volts

替代型号MMFT5P03HDT3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MMFT5P03HDT3 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
NTF5P03T3G 安森美	功能相似	MMFT5P03HDT3和NTF5P03T3G的区别
NTF5P03T3 安森美	功能相似	MMFT5P03HDT3和NTF5P03T3的区别

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