MLF2012A3R9M

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MLF2012A3R9M概述

Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 3.9uH 20% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 30mA 650mOhm DCR 0805 T/R

3.9µH Shielded Multilayer Inductor 30mA 650mOhm Max 0805 2012 Metric


得捷:
FIXED IND 3.9UH 30MA 650MOHM SMD


立创商城:
3.9uH ±20% 300mΩ


艾睿:
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 3.9uH 20% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 30mA 650mOhm DCR 0805 T/R


MLF2012A3R9M中文资料参数规格
技术参数

额定电流 30 mA

容差 ±20 %

电感 3.9 µH

自谐频率 55 MHz

测试频率 10 MHz

电阻DC) ≤650 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MLF2012A3R9M
型号: MLF2012A3R9M
制造商: TDK 东电化
描述:Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 3.9uH 20% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 30mA 650mOhm DCR 0805 T/R

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