3A,40V,SO-8,N沟道功率双MOSFET
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 40V 3.4A 1.39W Surface Mount 8-SOIC
得捷:
MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 3.4A 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 3.4A 8-Pin SOIC N T/R
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 40V 3.4A 8-Pin SOIC N T/R
力源芯城:
3A,40V,SO-8,N沟道功率双MOSFET
Win Source:
MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC
额定电压DC 30.0 V
额定电流 3.00 A
漏源极电阻 80.0 mΩ
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2.00 W
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
输入电容Ciss 900pF @32VVds
额定功率Max 1.39 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMDF3N04HDR2G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMDF3N04HDR2 安森美 | 类似代替 | MMDF3N04HDR2G和MMDF3N04HDR2的区别 |
FDS6930B 飞兆/仙童 | 功能相似 | MMDF3N04HDR2G和FDS6930B的区别 |
MMDF3N04HD 安森美 | 功能相似 | MMDF3N04HDR2G和MMDF3N04HD的区别 |