MTB50P03HDLG参数规格_中文资料_数据手册PDF

MTB50P03HDLG概述

-50A,-30V,P沟道功率MOSFET

表面贴装型 P 通道 30 V 50A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） D2PAK

得捷:
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube

Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin 2+Tab D2PAK Rail

力源芯城:
-50A,-30V,P沟道功率MOSFET

Win Source:
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK

MTB50P03HDLG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -50.0 A

漏源极电阻 25.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 2.5W Ta, 125W Tc

输入电容 4.90 nF

栅电荷 100 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

上升时间 340 ns

输入电容Ciss 4900pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 218 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MTB50P03HDLG

型号： MTB50P03HDLG

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：-50A,-30V,P沟道功率MOSFET

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替代型号MTB50P03HDLG

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