-7A,-30V,P沟道功率MOSFET
表面贴装型 P 通道 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
得捷:
MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
贸泽:
MOSFET PFET SO8S 30V 7A 35mOhm
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC N T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC N T/R
力源芯城:
-7A,-30V,P沟道功率MOSFET
Win Source:
Power MOSFET 7 A, 30 V, P-Channel SO-8
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -7.00 A
漏源极电阻 35.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
输入电容 1.68 nF
栅电荷 75.8 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
输入电容Ciss 1680pF @24VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMSF7P03HDR2G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMSF7P03HDR2 安森美 | 类似代替 | MMSF7P03HDR2G和MMSF7P03HDR2的区别 |
STS7PF30L 意法半导体 | 功能相似 | MMSF7P03HDR2G和STS7PF30L的区别 |