功率MOSFET 32安培， 200伏特N沟道TO- 247 Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N-Channel TO-247
N-Channel 200V 32A Tc 180W Tc Through Hole TO-247
得捷:
MOSFET N-CH 200V 32A TO247
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 32A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 32A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MTW32N20EG MOSFET Transistor, N Channel, 32 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 4 V
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 32A TO247
额定电压DC 200 V
额定电流 32.0 A
通道数 1
漏源极电阻 0.075 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 180 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 32.0 A
上升时间 120 ns
输入电容Ciss 5000pF @25VVds
额定功率Max 180 W
下降时间 91 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 180W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
宽度 5.3 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MTW32N20EG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MTW32N20E 安森美 | 完全替代 | MTW32N20EG和MTW32N20E的区别 |
IRFP250NPBF 英飞凌 | 功能相似 | MTW32N20EG和IRFP250NPBF的区别 |
STW40NF20 意法半导体 | 功能相似 | MTW32N20EG和STW40NF20的区别 |