MMBF170LT3G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBF170LT3G概述

0.5A,60V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET

N-Channel 60V 500mA Ta 225mW Ta Surface Mount SOT-23-3 TO-236

得捷:
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3

贸泽:
MOSFET 20V 500mA N-Channel

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R

力源芯城:
0.5A,60V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

MMBF170LT3G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 500 mA

通道数 1

漏源极电阻 5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 225 mW

输入电容 60.0 pF

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 500 mA

输入电容Ciss 60pF @10VVds

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 225mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBF170LT3G

型号： MMBF170LT3G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：0.5A,60V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET

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替代型号MMBF170LT3G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MMBF170LT3G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
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