2.1A,30V功率MOSFET
N-Channel 30V 1.6A Ta 420mW Ta Surface Mount SOT-23-3 TO-236
得捷:
MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
贸泽:
MOSFET 30V 2.1A N-Channel
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
力源芯城:
2.1A,30V功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
额定电压DC 30.0 V
额定电流 1.60 A
通道数 1
漏源极电阻 125 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 730 mW
输入电容 140 pF
栅电荷 6.00 µC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 2.10 A, 1.60 A
上升时间 1 ns
输入电容Ciss 140pF @5VVds
下降时间 1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 420mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MGSF1N03LT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MGSF1N03LT1G 安森美 | 类似代替 | MGSF1N03LT3G和MGSF1N03LT1G的区别 |
MGSF1N03LT1 安森美 | 类似代替 | MGSF1N03LT3G和MGSF1N03LT1的区别 |
MGSF1N03LT3 安森美 | 类似代替 | MGSF1N03LT3G和MGSF1N03LT3的区别 |