MMBTA55LT1

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MMBTA55LT1概述

驱动晶体管( PNP硅) Driver TransistorsPNP Silicon

Driver Transistors

PNP Silicon

Features

• Pb−Free Package is Available


得捷:
TRANS DRIVER SS PNP 60V SOT23


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R


MMBTA55LT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MMBTA55LT1
型号: MMBTA55LT1
描述:驱动晶体管( PNP硅) Driver TransistorsPNP Silicon
替代型号MMBTA55LT1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBTA55LT1

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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