MMJT9435T3G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMJT9435T3G概述

双极功率晶体管PNP硅 Bipolar Power Transistors PNP Silicon

- 双极 BJT - 单 PNP 30 V 3 A 110MHz 3 W 表面贴装型 SOT-223（TO-261）

得捷:
TRANS PNP 30V 3A SOT223

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 3A 30V 3W PNP

艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1560mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

MMJT9435T3G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -3.00 A

极性 PNP

耗散功率 3 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 125 @800mA, 1V

额定功率Max 3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1560 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.57 mm

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MMJT9435T3G

型号： MMJT9435T3G

描述：双极功率晶体管PNP硅 Bipolar Power Transistors PNP Silicon

替代型号MMJT9435T3G