晶体管放大器PNP硅 Amplifier Transistor PNP Silicon
Bipolar BJT Transistor PNP 25V 200mA 170MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS PNP 25V 0.2A TO92
艾睿:
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 625000mW 3-Pin TO-92 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
Win Source:
TRANS PNP 25V 0.2A TO92 / Bipolar BJT Transistor PNP 25 V 200 mA 170MHz 625 mW Through Hole TO-92 TO-226
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -200 mA
极性 PNP
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 360
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
宽度 4.19 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPS4126RLRAG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
PN2369 飞兆/仙童 | 功能相似 | MPS4126RLRAG和PN2369的区别 |
BC308 飞兆/仙童 | 功能相似 | MPS4126RLRAG和BC308的区别 |
MPS3415 Central Semiconductor | 功能相似 | MPS4126RLRAG和MPS3415的区别 |