MSB709-RT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MSB709-RT1G概述

PNP通用放大器晶体管表面贴装 PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -60V

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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −45V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A

截止频率fTTranstion FrequencyfT|

直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 210~340

管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V

耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W

Description & Applications| PNP silicon general purpose amplifier Transistor Feature Pb−Free Package is Available

描述与应用| PNP硅通用放大器特点无铅包装是可用

MSB709-RT1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP, P-Channel

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 210 @2mA, 10V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MSB709-RT1G

型号： MSB709-RT1G

描述：PNP通用放大器晶体管表面贴装 PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount

替代型号MSB709-RT1G