高电压晶体管 High Voltage Transistors
Bipolar BJT Transistor PNP 200V 500mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS PNP 200V 0.5A TO92
艾睿:
Trans GP BJT PNP 200V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Box
额定电压DC -200 V
额定电流 -500 mA
极性 Dual P-Channel
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 200 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 25 @30mA, 10V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPSA93G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MPSA93 安森美 | 完全替代 | MPSA93G和MPSA93的区别 |
MPSA93RLRM 安森美 | 类似代替 | MPSA93G和MPSA93RLRM的区别 |
MPSA93RLRMG 安森美 | 功能相似 | MPSA93G和MPSA93RLRMG的区别 |