放大器晶体管 Amplifier Transistors
Bipolar BJT Transistor NPN 25V 1A 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 25V 1A TO92
艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 1A 625000mW 3-Pin TO-92 T/R
额定电压DC 25.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPS6601RLRAG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC182B Multicomp | 类似代替 | MPS6601RLRAG和BC182B的区别 |
MMBT5087LT1G 安森美 | 功能相似 | MPS6601RLRAG和MMBT5087LT1G的区别 |
ZTX451 美台 | 功能相似 | MPS6601RLRAG和ZTX451的区别 |