MJD18002D2T4G概述
功率晶体管2安培1000伏， 50瓦双极NPN晶体管 POWER TRANSISTOR 2 AMPERES 1000 VOLTS, 50 WATTS Bipolar NPN Transistor
- 双极 BJT - 单 NPN 13MHz 表面贴装型 DPAK
得捷:
TRANS NPN 450V 2A DPAK
艾睿:
Trans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
POWER TRANSISTOR 2 AMPERES 1000 VOLTS, 50 WATTS Bipolar NPN Transistor | TRANS NPN 450V 2A DPAK
MJD18002D2T4G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 450 V
额定电流 2.00 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 450 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 6 @1A, 1V
额定功率Max 50 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 50000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买MJD18002D2T4G
型号： MJD18002D2T4G
制造商：
ON Semiconductor
安森美
描述：功率晶体管2安培1000伏， 50瓦双极NPN晶体管 POWER TRANSISTOR 2 AMPERES 1000 VOLTS, 50 WATTS Bipolar NPN Transistor