通用放大器晶体管 General Purpose Amplifier Transistors
- 双极 BJT - 单 PNP 50 V 100 mA 80MHz 200 mW 表面贴装型 SC-59
得捷:
TRANS PNP 50V 0.1A SC59
艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
Win Source:
General Purpose Amplifier Transistors
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP, P-Channel
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 6V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MSA1162YT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2SA1162YT1 安森美 | 类似代替 | MSA1162YT1G和2SA1162YT1的区别 |
MSA1162YT1 安森美 | 类似代替 | MSA1162YT1G和MSA1162YT1的区别 |