4.0安培功率晶体管互补硅350伏50瓦 4.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 350 VOLTS 50 WATTS
The Bipolar Power Transistor is designed for use as a high-frequency driver in audio amplifiers.
Features
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- Pb-Free Packages are Available
得捷:
TRANS PNP 350V 4A TO220
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 350V 4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
额定电压DC -350 V
额定电流 -4.00 A
极性 PNP
耗散功率 50 W
增益频宽积 30 MHz
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 10 @2A, 5V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJE15035 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJE15035G 安森美 | 类似代替 | MJE15035和MJE15035G的区别 |