4安培NPN硅功率晶体管400伏 - 75瓦 4 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 75 WATTS
- 双极 BJT - 单 NPN 4MHz 通孔 TO-220AB
得捷:
TRANS NPN 400V 4A TO220
艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Allied Electronics:
Transistor; Bipolar; Si; NPN; Power; VCEO 700VDC; IC 4A; PD 2W; TO-220AB; hFE 40; fT 4MHz
频率 4 MHz
额定电压DC 400 V
额定电流 4.00 A
极性 NPN
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
热阻 1.67℃/W RθJC
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 8 @2A, 5V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 75000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
MJE13005G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJE13005 Central Semiconductor | 类似代替 | MJE13005G和MJE13005的区别 |
FJP5304DTU 飞兆/仙童 | 功能相似 | MJE13005G和FJP5304DTU的区别 |
MJE13004 Continental Device | 功能相似 | MJE13005G和MJE13004的区别 |