ON SEMICONDUCTOR MC33152DG 双功率驱动器, 6.1V-18V电源, 1.5A输出, 40ns延迟, SOIC-8
MOSFET & IGBT 驱动器,
功率驱动器,用于低侧、高侧和半桥式电路中的 MOSFET 和 IGBT。
欧时:
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得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
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MOSFET 驱动,高速,双
贸泽:
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET
e络盟:
双功率驱动器, 6.1V-18V电源, 1.5A输出, 40ns延迟, SOIC-8
艾睿:
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N Rail
Allied Electronics:
MOSFET Driver 1.5A Dual High Speed SOIC8
安富利:
MOSFET DRVR 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N Rail
Chip1Stop:
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N Rail
TME:
Driver; low-side switch, gate driver; 1.5A; 0.8÷11.2V; 560mW; SO8
Verical:
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Newark:
MOSFET Driver Dual, Non-Inverting, 6.1V-18V supply, 1.5A peak out, 100 kOhm output, SOIC-8
力源芯城:
双高速同相MOSFET驱动器
电源电压DC 18.0V max
上升/下降时间 36ns, 32ns
无卤素状态 Halogen Free
输出接口数 2
输出电压 11.2 V
输出电流 1.50 A
针脚数 8
耗散功率 560 mW
上升时间 36 ns
下降时间 32 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 560 mW
电源电压 6.1V ~ 18V
电源电压Max 18 V
电源电压Min 6.1 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Industrial, 信号处理, 电机驱动与控制, Signal Processing, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MC33152DG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MC33151DG 安森美 | 完全替代 | MC33152DG和MC33151DG的区别 |
MC33152D 安森美 | 完全替代 | MC33152DG和MC33152D的区别 |
MC33152DR2G 安森美 | 类似代替 | MC33152DG和MC33152DR2G的区别 |