MC33152DG

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MC33152DG概述

ON SEMICONDUCTOR  MC33152DG  双功率驱动器, 6.1V-18V电源, 1.5A输出, 40ns延迟, SOIC-8

MOSFET & IGBT 驱动器,

功率驱动器,用于低侧、高侧和半桥式电路中的 MOSFET 和 IGBT。


欧时:
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得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


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MOSFET 驱动,高速,双


贸泽:
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET


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双功率驱动器, 6.1V-18V电源, 1.5A输出, 40ns延迟, SOIC-8


艾睿:
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N Rail


Allied Electronics:
MOSFET Driver 1.5A Dual High Speed SOIC8


安富利:
MOSFET DRVR 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N Rail


Chip1Stop:
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N Rail


TME:
Driver; low-side switch, gate driver; 1.5A; 0.8÷11.2V; 560mW; SO8


Verical:
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube


Newark:
MOSFET Driver Dual, Non-Inverting, 6.1V-18V supply, 1.5A peak out, 100 kOhm output, SOIC-8


力源芯城:
双高速同相MOSFET驱动器


MC33152DG中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 18.0V max

上升/下降时间 36ns, 32ns

无卤素状态 Halogen Free

输出接口数 2

输出电压 11.2 V

输出电流 1.50 A

针脚数 8

耗散功率 560 mW

上升时间 36 ns

下降时间 32 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 560 mW

电源电压 6.1V ~ 18V

电源电压Max 18 V

电源电压Min 6.1 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Industrial, 信号处理, 电机驱动与控制, Signal Processing, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MC33152DG引脚图与封装图
MC33152DG引脚图
MC33152DG封装图
MC33152DG封装焊盘图
在线购买MC33152DG
型号: MC33152DG
描述:ON SEMICONDUCTOR  MC33152DG  双功率驱动器, 6.1V-18V电源, 1.5A输出, 40ns延迟, SOIC-8
替代型号MC33152DG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MC33152DG

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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MC33151DG

安森美

完全替代

MC33152DG和MC33151DG的区别

MC33152D

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完全替代

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