ON SEMICONDUCTOR MC33152DR2G MOSFET Driver, 6.1V-18V supply, SOIC-8 新
MOSFET & IGBT 驱动器,
功率驱动器,用于低侧、高侧和半桥式电路中的 MOSFET 和 IGBT。
### MOSFET & IGBT 驱动器,ON Semiconductor
得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
立创商城:
MOSFET 驱动,高速,双
欧时:
ON Semiconductor MC33152DR2G 双 MOSFET 功率驱动器, 1.5A, 6.1 → 18 V电源, 8引脚 SOIC封装
艾睿:
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Allied Electronics:
IC; Mosfet; Driver; 20V; 1.5A; SOIC-8; Cut Tape
安富利:
MOSFET DRVR 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
MC Series 1.5 A 20 V 100 kOhm SMT High Speed Dual MOSFET Driver - SOIC-8
Chip1Stop:
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
TME:
Driver; low-side switch, gate driver; 1.5A; 0.8÷11.2V; 560mW; SO8
Verical:
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MC33152DR2G MOSFET DRIVER, DUAL, NON-INVERTING, SOIC
力源芯城:
双高速同相MOSFET驱动器
Win Source:
IC DRIVER MOSFET DUAL HS 8SOIC
电源电压DC 18.0V max
工作电压 6.1V ~ 18V
上升/下降时间 36ns, 32ns
无卤素状态 Halogen Free
输出接口数 2
针脚数 8
耗散功率 0.56 W
上升时间 36 ns
输出电流Max 1.5 A
下降时间 32 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 560 mW
电源电压 6.1V ~ 18V
电源电压Max 18 V
电源电压Min 6.1 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
MC33152DR2G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MC33151DR2G 安森美 | 类似代替 | MC33152DR2G和MC33151DR2G的区别 |
MC33151DG 安森美 | 类似代替 | MC33152DR2G和MC33151DG的区别 |
MC33152DG 安森美 | 类似代替 | MC33152DR2G和MC33152DG的区别 |