ON SEMICONDUCTOR MC33151DG 双功率驱动器, 6.5V-18V电源, 1.5A输出, 36ns延迟, SOIC-8
MOSFET & IGBT 驱动器,
功率驱动器,用于低侧、高侧和半桥式电路中的 MOSFET 和 IGBT。
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欧时:
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得捷:
MC33151 - HIGH SPEED DUAL MOSFET
立创商城:
MC33151DG
贸泽:
门驱动器 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
e络盟:
双功率驱动器, 6.5V-18V电源, 1.5A输出, 36ns延迟, SOIC-8
艾睿:
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N Rail
Allied Electronics:
MC33151DG; Dual MOSFET Power Driver 1.5A; 6.5 to 18 V; Inverting; 8-Pin SOIC
安富利:
MOSFET DRVR 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N Rail
Chip1Stop:
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N Rail
TME:
Driver; low-side switch, gate driver; 1.5A; 0.8÷11.2V; Channels:2
Verical:
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N Tube
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MC33151DG MOSFET Driver Dual, Inverting, 6.5V-18V supply, 1.5A peak out, 100 kOhm output, SOIC-8
力源芯城:
双高速反相MOSFET驱动器
电源电压DC 18.0V max
上升/下降时间 31ns, 32ns
无卤素状态 Halogen Free
输出接口数 2
输出电压 11.2 V
输出电流 1.50 A
针脚数 8
耗散功率 560 mW
上升时间 31 ns
输出电流Max 1.5 A
下降时间 32 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 560 mW
电源电压 6.5V ~ 18V
电源电压Max 18 V
电源电压Min 6.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Each
制造应用 Signal Processing, 工业, 电机驱动与控制, Motor Drive & Control, Industrial, 信号处理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MC33151DG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MC33152DG 安森美 | 完全替代 | MC33151DG和MC33152DG的区别 |
MC33151D 安森美 | 完全替代 | MC33151DG和MC33151D的区别 |
MC33152DR2G 安森美 | 类似代替 | MC33151DG和MC33152DR2G的区别 |