MOSFET & IGBT 驱动器,ON Semiconductor### MOSFET & IGBT 驱动器,ON Semiconductor
MOSFET & IGBT 驱动器,
功率驱动器,用于低侧、高侧和半桥式电路中的 MOSFET 和 IGBT。
### MOSFET & IGBT 驱动器,ON Semiconductor
得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
欧时:
ON Semiconductor MC33152VDR2G 双 MOSFET 功率驱动器, 1.5A, 6.1 → 18 V电源, 8引脚 SOIC封装
e络盟:
MOSFET驱动器, 双, 低压侧, 6.1V - 18V电源, 1.5A输出, SOIC-8
艾睿:
Never worry about your high power transistor not turning on and off by using this MC33152VDR2G power driver by ON Semiconductor. This device has a maximum propagation delay time of 55typ ns and a maximum power dissipation of 560 mW. Its maximum power dissipation is 560 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C. This device has a minimum operating supply voltage of 6.5 V and a maximum of 18 V.
Allied Electronics:
High Speed Dual MOSFET Driver 1.5A SOIC8
安富利:
MOSFET DRVR 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Chip1Stop:
MOSFET DRVR 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Verical:
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
力源芯城:
双高速同相MOSFET驱动器
电源电压DC 18.0V max
上升/下降时间 36ns, 32ns
无卤素状态 Halogen Free
输出接口数 2
针脚数 8
耗散功率 560 mW
输出电流Max 1.5 A
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 560 mW
电源电压 6.1V ~ 18V
电源电压Max 18 V
电源电压Min 6.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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