12 A峰值 低压侧 MOSFET 驱动器 采用SOIC-8封装
Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:12A 拉:12A
得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
贸泽:
门驱动器 12A Hi-Speed, Hi-Current Single MOSFET Driver
e络盟:
MOSFET驱动器, 非反相, 双极/CMOS/DMOS, 4.5V至18V电源, 12A输出, SOIC-8
艾睿:
Driver 12A 1-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
12A HI-SPEED, HI-CURRENT SINGLE MOSFET DRIVER
Verical:
Driver 12A 1-OUT Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
上升/下降时间 20ns, 24ns
输出接口数 1
输出电压 25 mV
输出电流 12 A
针脚数 8
耗散功率 1040 mW
上升时间 25 ns
下降时间 25 ns
下降时间Max 50 ns
上升时间Max 40 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1040 mW
电源电压 4.5V ~ 18V
电源电压Max 18 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MIC4452YM-TR Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
MIC4452BM-TR 微芯 | 完全替代 | MIC4452YM-TR和MIC4452BM-TR的区别 |
MIC4452YM 微芯 | 功能相似 | MIC4452YM-TR和MIC4452YM的区别 |