MD1210K6-G

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MD1210K6-G概述

MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 4.5V至13V电源, 2A输出, 7ns延迟, QFN-12

半桥 栅极驱动器 IC 非反相 12-QFN(4x4)


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12QFN


立创商城:
半桥 MOSFET 灌:2A 拉:2A


e络盟:
MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 4.5V至13V电源, 2A输出, 7ns延迟, QFN-12


艾睿:
Say goodbye to transistors not being provided proper biasing current by using this MD1210K6-G power driver by Microchip Technology. This device has a maximum propagation delay time of 7typ ns. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This gate driver has a minimum operating temperature of -20 °C and a maximum of 85 °C. This device has a minimum operating supply voltage of 4.5 V and a maximum of 13 V.


Allied Electronics:
MOSFET, HIGH SPEED, DUAL DRIVER12 QFN 4x4x0.9mm T/R


安富利:
MOSFET DRVR 2A 2-OUT Hi/Lo Side Inv 12-Pin QFN EP T/R


Verical:
Driver 2A 2-OUT High and Low Side Inv 12-Pin QFN EP T/R


Win Source:
High Speed Dual MOSFET Driver


MD1210K6-G中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 6 ns

输出接口数 2

针脚数 12

下降时间Max 6 ns

上升时间Max 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -20 ℃

电源电压 4.5V ~ 13V

电源电压Max 13 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 12

封装 QFN-12

外形尺寸

封装 QFN-12

物理参数

工作温度 -20℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MD1210K6-G引脚图与封装图
MD1210K6-G引脚图
MD1210K6-G封装图
MD1210K6-G封装焊盘图
在线购买MD1210K6-G
型号: MD1210K6-G
制造商: Microchip 微芯
描述:MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 4.5V至13V电源, 2A输出, 7ns延迟, QFN-12
替代型号MD1210K6-G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MD1210K6-G

Microchip 微芯

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