MCP14E3T-E/SN

MCP14E3T-E/SN图片1
MCP14E3T-E/SN图片2
MCP14E3T-E/SN图片3
MCP14E3T-E/SN图片4
MCP14E3T-E/SN图片5
MCP14E3T-E/SN图片6
MCP14E3T-E/SN概述

低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A

Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A


艾睿:
Driver 4A 2-OUT Low Side Inv Automotive 8-Pin SOIC N T/R


Chip1Stop:
Driver 4A 2-OUT Lo Side Inv Automotive 8-Pin SOIC N T/R


MCP14E3T-E/SN中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.50V min

上升/下降时间 15ns, 18ns

输出接口数 2

输出电流Max 4.5 A

下降时间Max 30 ns

上升时间Max 30 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 665 mW

电源电压 4.5V ~ 18V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

MCP14E3T-E/SN引脚图与封装图
MCP14E3T-E/SN引脚图
MCP14E3T-E/SN封装图
MCP14E3T-E/SN封装焊盘图
在线购买MCP14E3T-E/SN
型号: MCP14E3T-E/SN
制造商: Microchip 微芯
描述:低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A
替代型号MCP14E3T-E/SN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MCP14E3T-E/SN

Microchip 微芯

当前型号

当前型号

MCP14E5-E/SN

微芯

完全替代

MCP14E3T-E/SN和MCP14E5-E/SN的区别

MCP14E4-E/SN

微芯

完全替代

MCP14E3T-E/SN和MCP14E4-E/SN的区别

MCP14E3-E/SN

微芯

完全替代

MCP14E3T-E/SN和MCP14E3-E/SN的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台