MCP14E10T-E/SN

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MCP14E10T-E/SN概述

3.0 A 双 反相 高速 功率 MOSFET 驱动器 带使能 8-SOIC 150 mil封装

低端 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:3A 拉:3A


艾睿:
Driver 3A 2-OUT Lo Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC N T/R


Allied Electronics:
IC MOSFET DRIVER 3A 8SOIC


Chip1Stop:
MOSFET DRVR 3A 2-OUT Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R


MCP14E10T-E/SN中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.50V min

上升/下降时间 25 ns

输出接口数 2

下降时间Max 30 ns

上升时间Max 30 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 669 mW

电源电压 4.5V ~ 18V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

MCP14E10T-E/SN引脚图与封装图
MCP14E10T-E/SN引脚图
MCP14E10T-E/SN封装图
MCP14E10T-E/SN封装焊盘图
在线购买MCP14E10T-E/SN
型号: MCP14E10T-E/SN
制造商: Microchip 微芯
描述:3.0 A 双 反相 高速 功率 MOSFET 驱动器 带使能 8-SOIC 150 mil封装
替代型号MCP14E10T-E/SN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MCP14E10T-E/SN

Microchip 微芯

当前型号

当前型号

MCP14E10-E/SN

微芯

完全替代

MCP14E10T-E/SN和MCP14E10-E/SN的区别

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