MCP14E8T-E/SN

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MCP14E8T-E/SN概述

2.0 A 双 高速 功率 MOSFET 驱动器 带使能 采用8-SOIC 150 mil 封装

低端 栅极驱动器 IC 反相,非反相 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A


艾睿:
Driver 2A 2-OUT Lo Side Inv/Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC N T/R


Allied Electronics:
IC MOSFET DRIVER 2A 8SOIC


安富利:
MOSFET DRVR 2A 2-OUT Lo Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R


Chip1Stop:
Driver 2A 2-OUT Lo Side Inv/Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC N T/R


MCP14E8T-E/SN中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.50V min

上升/下降时间 12ns, 15ns

输出接口数 2

耗散功率 669 mW

下降时间Max 35 ns

上升时间Max 30 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 669 mW

电源电压 4.5V ~ 18V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

MCP14E8T-E/SN引脚图与封装图
MCP14E8T-E/SN引脚图
MCP14E8T-E/SN封装图
MCP14E8T-E/SN封装焊盘图
在线购买MCP14E8T-E/SN
型号: MCP14E8T-E/SN
制造商: Microchip 微芯
描述:2.0 A 双 高速 功率 MOSFET 驱动器 带使能 采用8-SOIC 150 mil 封装
替代型号MCP14E8T-E/SN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MCP14E8T-E/SN

Microchip 微芯

当前型号

当前型号

MCP14E6T-E/SN

微芯

完全替代

MCP14E8T-E/SN和MCP14E6T-E/SN的区别

MCP14E8-E/SN

微芯

类似代替

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类似代替

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