MD1812K6-G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MD1812K6-G概述

MOSFET DRVR 2A 4Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 16Pin QFN T/R

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 16-QFN 4x4

得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN

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MD1812K6-G

艾睿:
Driver 2A 4-OUT Hi/Lo Side 16-Pin QFN EP T/R

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MOSFET DRVR 2A 4-OUT Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 16-Pin QFN T/R

MD1812K6-G中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 6 ns

输出接口数 4

耗散功率 2200 mW

下降时间Max 6 ns

上升时间Max 6 ns

工作温度Max 125 ℃

耗散功率Max 2200 mW

电源电压 4.5V ~ 13V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 QFN-16

外形尺寸

封装 QFN-16

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MD1812K6-G引脚图与封装图

在线购买MD1812K6-G

型号： MD1812K6-G

制造商： Microchip 微芯

描述：MOSFET DRVR 2A 4Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 16Pin QFN T/R

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