MT46H16M32LFCM-6:B TR

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MT46H16M32LFCM-6:B TR概述

DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90Pin VFBGA T/R

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb 16M x 32 Parallel 166MHz 5ns 90-VFBGA 10x13


得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA T/R


Chip1Stop:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA T/R


Verical:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA T/R


Win Source:
IC LPDDR SDRAM 512MBIT 90VFBGA


MT46H16M32LFCM-6:B TR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 115 mA

位数 32

存取时间Max 5ns, 6.5ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 VFBGA-90

外形尺寸

封装 VFBGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MT46H16M32LFCM-6:B TR引脚图与封装图
MT46H16M32LFCM-6:B TR引脚图
MT46H16M32LFCM-6:B TR封装图
MT46H16M32LFCM-6:B TR封装焊盘图
在线购买MT46H16M32LFCM-6:B TR
型号: MT46H16M32LFCM-6:B TR
制造商: Micron 镁光
描述:DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90Pin VFBGA T/R

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