MT29F1G08ABBEAH4-IT:E TR

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MT29F1G08ABBEAH4-IT:E TR概述

SLC NAND Flash Parallel 1.8V 1G-bit 128M x 8 63Pin VFBGA

FLASH - NAND Memory IC 1Gb 128M x 8 Parallel 63-VFBGA 10.5x13


艾睿:
SLC NAND Flash Parallel 1.8V 1G-bit 128M x 8 63-Pin VFBGA


Win Source:
IC FLASH 1GBIT VFBGA


MT29F1G08ABBEAH4-IT:E TR中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VFBGA-63

外形尺寸

封装 VFBGA-63

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买MT29F1G08ABBEAH4-IT:E TR
型号: MT29F1G08ABBEAH4-IT:E TR
制造商: Micron 镁光
描述:SLC NAND Flash Parallel 1.8V 1G-bit 128M x 8 63Pin VFBGA
替代型号MT29F1G08ABBEAH4-IT:E TR
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Micron 镁光

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MT29F1G08ABBEAH4-IT:E TR和MT29F1G08ABBEAH4:E TR的区别

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