RAM，Micron Technology### 动态 RAM
动态 RAM， Technology
得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
欧时:
Micron MT46V16M16P-5B :M 256mb 200MHz DDR SDRAM 芯片, 16M x 16 位, 5ns, 2.5 → 2.7 V, 66引脚 TSOP封装
艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.6V 66-Pin TSOP Tray
Chip1Stop:
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.6V 66-Pin TSOP
Verical:
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.6V 66-Pin TSOP Tray
Win Source:
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
工作电压 2.50 V
供电电流 175 mA
时钟频率 200 MHz
位数 16
存取时间 700 ps
存取时间Max 0.7 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 2.5V ~ 2.7V
安装方式 Surface Mount
引脚数 66
封装 TSOP-66
长度 22.22 mm
宽度 10.16 mm
高度 1.2 mm
封装 TSOP-66
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MT46V16M16P-5B:M Micron 镁光 | 当前型号 | 当前型号 |
MT46V16M16TG-5B:K 镁光 | 完全替代 | MT46V16M16P-5B:M和MT46V16M16TG-5B:K的区别 |
MT46V16M16P-6T:K 镁光 | 类似代替 | MT46V16M16P-5B:M和MT46V16M16P-6T:K的区别 |
MT46V16M16P-5B:K 镁光 | 类似代替 | MT46V16M16P-5B:M和MT46V16M16P-5B:K的区别 |