MT47H64M8SH-25E:H TR

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MT47H64M8SH-25E:H TR概述

DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60Pin FBGA

SDRAM - DDR2 存储器 IC 512M(64M x 8) 并联 400 MHz 400 ps 60-FBGA(8x10)


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin FBGA


安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 64Mx8 1.8V 60-Pin FBGA T/R


Verical:
MT47H64M8SH-25E:H TR


MT47H64M8SH-25E:H TR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 125 mA

位数 8

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

封装参数

引脚数 60

封装 FBGA

外形尺寸

封装 FBGA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MT47H64M8SH-25E:H TR
型号: MT47H64M8SH-25E:H TR
制造商: Micron 镁光
描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60Pin FBGA

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