MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR

MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR图片1
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR图片2
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR概述

SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 63Pin VFBGA Tray

闪存 - NAND 存储器 IC 2Gb(256M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)


得捷:
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA


艾睿:
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 63-Pin VFBGA Tray


安富利:
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2Gbit 256M X 8bit 25ns 63-Pin VFBGA T/R


Win Source:
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA / FLASH - NAND Memory IC 2Gb 256M x 8 Parallel 63-VFBGA 9x11


MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR中文资料参数规格
技术参数

位数 8

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 63

封装 VFBGA-63

外形尺寸

封装 VFBGA-63

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR
型号: MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR
制造商: Micron 镁光
描述:SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 63Pin VFBGA Tray
替代型号MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR

Micron 镁光

当前型号

当前型号

MT29F2G08ABAEAH4-IT:E

镁光

完全替代

MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR和MT29F2G08ABAEAH4-IT:E的区别

MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR

镁光

完全替代

MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR和MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台